反向传输电容(Crss):58pF,导通电阻(RDS(on)):17mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):633pF,输出电容(Coss):67pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 输出电容(Coss) | 67pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |