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SiHB12N60E-GE3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SiHB12N60E-GE3-VB
- 商品编号
- C7568769
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 商品毛重
- 0.0016千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):0.36Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):71nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):228W,输入电容(Ciss):2322pF,输出电容(Coss):105pF,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.36Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 228W | |
| 输入电容(Ciss) | 2322pF | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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