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RQA0009TXDQS-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- RQA0009TXDQS-VB
- 商品编号
- C7568909
- 商品封装
- SOT-89
- 商品毛重
- 0.000215千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):0.022Ω@4.5V,导通电阻(RDS(on)):0.03Ω@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):6.3W,输入电容(Ciss):1200pF,输出电容(Coss):220pF,连续漏极电流(Id):6.8A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.022Ω@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.03Ω@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 6.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 1200pF | |
| 输出电容(Coss) | 220pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.806/个 |
| 50+ | ¥1.418/个 |
| 150+ | ¥1.252/个 |
| 1000+ | ¥1.0442/个 |
| 2000+ | ¥0.952/个 |
| 5000+ | ¥0.897/个 |
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