工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),晶体管类型:NPN,特征频率(fT):300MHz,直流电流增益(hFE):100@10mA,1V,耗散功率(Pd):350mW,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):300mV,集电极截止电流(Icbo):50nA,集电极电流(Ic):200mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 300MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@10mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
集电极电流(Ic) | 200mA |