反向传输电容(Crss):12pF@800V,反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):56mΩ@20V,35A,导通电阻(RDS(on)):56mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,栅极电荷量(Qg):106nC,漏源电压(Vdss):1200V,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):348W,耗散功率(Pd):348W,输入电容(Ciss):1781pF@800V,输入电容(Ciss):1781pF,输出电容(Coss):140pF,连续漏极电流(Id):60A,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):4.3V,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@800V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@20V,35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 输入电容(Ciss) | 1781pF@800V | |
| 输入电容(Ciss) | 1781pF | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥148.31/个 |
| 10+ | ¥122.04/个 |
| 30+ | ¥110.99/个 |
| 100+ | ¥101.35/个 |
| 102+ | ¥101.35/个 |
| 104+ | ¥101.35/个 |
整盘
单价
整盘单价¥99.466
450 PCS/盘
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