反向传输电容(Crss):12pF@800V,导通电阻(RDS(on)):56mΩ@20V,35A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):348W,输入电容(Ciss):1781pF@800V,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 12pF@800V | |
导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@20V,35A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 348W | |
输入电容(Ciss) | 1781pF@800V | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥148.31/个 |
10+ | ¥122.04/个 |
30+ | ¥110.99/个 |
100+ | ¥101.35/个 |
102+ | ¥101.35/个 |
104+ | ¥101.35/个 |
整盘
单价
整盘单价¥99.466
450 PCS/盘
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