反向传输电容(Crss):95pF@20V,导通电阻(RDS(on)):47mΩ@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):26nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):15W,输入电容(Ciss):1.15nF@20V,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V,6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |