反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):69mΩ@10V,22A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):61nC@200V,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):2870pF@25V,连续漏极电流(Id):44A,阈值电压(Vgs(th)):5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@10V,22A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 61nC@200V | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
耗散功率(Pd) | 38W | |
输入电容(Ciss) | 2870pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 44A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥14.6/个 |
10+ | ¥14.3/个 |
50+ | ¥13.38/个 |
100+ | ¥13.18/个 |
102+ | ¥13.18/个 |
104+ | ¥13.18/个 |
整盘
单价
整盘单价¥12.3096
50 PCS/盘
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