反向传输电容(Crss):140pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.2Ω@10V,7.5A,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):38nC,漏源电压(Vdss):120V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1100pF@25V,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 140pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.2Ω@10V,7.5A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
漏源电压(Vdss) | 120V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 1100pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |