反向传输电容(Crss):16pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):1700pF@25V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 16pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 50W | |
输入电容(Ciss) | 1700pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |