反向传输电容(Crss):190pF@4V,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@2.5V,3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):4.5nC,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):740pF@4V,连续漏极电流(Id):4.1A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@4V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V,3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF@4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.235/个 |
| 200+ | ¥0.187/个 |
| 600+ | ¥0.163/个 |
| 3000+ | ¥0.139/个 |
| 9000+ | ¥0.125/个 |
| 21000+ | ¥0.118/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.12788
3000 PCS/盘
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