反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):87nC,栅极电荷量(Qg):87nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):171W,输入电容(Ciss):1920pF,输出电容(Coss):80pF,连续漏极电流(Id):52A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 171W | |
| 输入电容(Ciss) | 1920pF | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥29.783/个 |
| 10+ | ¥25.318/个 |
| 30+ | ¥23.161/个 |
| 90+ | ¥20.473/个 |
| 510+ | ¥19.238/个 |
| 990+ | ¥18.677/个 |
整盘
单价
整盘单价¥21.30812
30 PCS/盘
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