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SiC功率MOSFET N沟道增强模式

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: C3M0040120K-HXY
商品编号: C50346528
商品封装: TO-247-4L
商品毛重: 0.00665千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):14pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):131nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):405W,输入电容(Ciss):2101pF,输出电容(Coss):161pF,连续漏极电流(Id):78A,阈值电压(Vgs(th)):4V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	14pF
导通电阻(RDS(on))	50mΩ
工作温度	-40℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	131nC
漏源电压(Vdss)	1200V
耗散功率(Pd)	405W
输入电容(Ciss)	2101pF
输出电容(Coss)	161pF
连续漏极电流(Id)	78A
阈值电压(Vgs(th))	4V

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阶梯价格(含税价)

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10+	¥34.447/个
30+	¥31.103/个
90+	¥28.301/个
92+	¥28.301/个
94+	¥28.301/个

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单价

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