导通电阻(RDS(on)):155mΩ@15V,15A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:N沟道,栅极电荷量(Qg):17.3nC@15V,漏源电压(Vdss):900V,耗散功率(Pd):83W,输入电容(Ciss):350pF@600V,连续漏极电流(Id):22A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@3mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@15V,15A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17.3nC@15V | |
漏源电压(Vdss) | 900V | |
耗散功率(Pd) | 83W | |
输入电容(Ciss) | 350pF@600V | |
连续漏极电流(Id) | 22A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@3mA |