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IPB160N04S4L-H1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPB160N04S4L-H1
- 商品编号
- C536563
- 商品封装
- TO-263-7
- 商品毛重
- 0.001907千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):1.5mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):190nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):167W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,100A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
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