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1个N沟道耐压:40V 电流:200A

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品牌名称: ST(意法半导体)
厂家型号: STH410N4F7-6AG
商品编号: C2970236
商品封装: TO-263-7
商品毛重: 0.001907千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):390pF,导通电阻(RDS(on)):1.1mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):141nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):365W,输入电容(Ciss):11500pF,输出电容(Coss):3500pF,连续漏极电流(Id):200A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	390pF
导通电阻(RDS(on))	1.1mΩ@10V
工作温度	-55℃~+175℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	141nC@10V
漏源电压(Vdss)	40V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	365W
输入电容(Ciss)	11500pF
输出电容(Coss)	3500pF
连续漏极电流(Id)	200A
阈值电压(Vgs(th))	4.5V@250uA