导通电阻(RDS(on)):39mΩ@18V,27A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):104nC@18V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):267W,输入电容(Ciss):1526pF@500V,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@18V,27A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 104nC@18V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 267W | |
输入电容(Ciss) | 1526pF@500V | |
连续漏极电流(Id) | 70A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |