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G2R1000MT33J
扩展库- 品牌名称
- GeneSiC Semiconductor
- 厂家型号
- G2R1000MT33J
- 商品编号
- C3291150
- 商品封装
- TO-263-7
- 商品毛重
- 0.002283千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2.4pF,导通电阻(RDS(on)):1000mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):18nC,漏源电压(Vdss):3300V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):74W,输入电容(Ciss):238pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1000mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 3300V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 输入电容(Ciss) | 238pF | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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