反向传输电容(Crss):114pF,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@10V,3.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):666pF,输出电容(Coss):163pF,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 114pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,3.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.5W | |
输入电容(Ciss) | 666pF | |
输出电容(Coss) | 163pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |