反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):1.5Ω@5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):125pF,输出电容(Coss):70pF,连续漏极电流(Id):890mA,阈值电压(Vgs(th)):1.6V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 25pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.6W | |
输入电容(Ciss) | 125pF | |
输出电容(Coss) | 70pF | |
连续漏极电流(Id) | 890mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥12.86/个 |
10+ | ¥12.57/个 |
30+ | ¥12.37/个 |
100+ | ¥12.17/个 |
102+ | ¥12.17/个 |
104+ | ¥12.17/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.1964
2000 PCS/盘
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