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PD84001
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- PD84001
- 商品编号
- C411392
- 商品封装
- SOT-89-3
- 商品毛重
- 0.000184千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):1.3pF,导通电阻(RDS(on)):0.6Ω@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):18V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):9W,输入电容(Ciss):14.7pF,输出电容(Coss):13.3pF,连续漏极电流(Id):1.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.6Ω@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 9W | |
| 输入电容(Ciss) | 14.7pF | |
| 输出电容(Coss) | 13.3pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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