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AP8N06SI
扩展库- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 厂家型号
- AP8N06SI
- 商品编号
- C3011319
- 商品封装
- SOT-89-3
- 商品毛重
- 0.00021千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):49.4pF@25V,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):20.3nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):1148pF@25V,连续漏极电流(Id):8.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 49.4pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1148pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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