反向传输电容(Crss):6pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):4.9nC@10V,漏源电压(Vdss):250V,类型:-,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):83pF,输出电容(Coss):13pF,连续漏极电流(Id):0.2A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 6pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 83pF | |
输出电容(Coss) | 13pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.2A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |