射基极击穿电压(Vebo):5V,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):80MHz,集射极击穿电压(Vceo):30V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):3A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集电极电流(Ic) | 3A |