射基极击穿电压(Vebo):5V,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):80MHz,集射极击穿电压(Vceo):30V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V@2A,200mA,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):3A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 80MHz | |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V@2A,200mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 3A |