反向传输电容(Crss):160pF,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):45V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):1350pF,输出电容(Coss):190pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 160pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 45V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 35W | |
输入电容(Ciss) | 1350pF | |
输出电容(Coss) | 190pF | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |