反向传输电容(Crss):19.5pF,导通电阻(RDS(on)):62mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):247pF,输出电容(Coss):34pF,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 247pF | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.653/个 |
| 50+ | ¥0.637/个 |
| 150+ | ¥0.627/个 |
| 500+ | ¥0.616/个 |
| 510+ | ¥0.616/个 |
| 520+ | ¥0.616/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.583
1000 PCS/盘
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