反向传输电容(Crss):1.1pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-40℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):30.5W,输入电容(Ciss):38.5pF,输出电容(Coss):23.2pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2.6V@67uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 30.5W | |
输入电容(Ciss) | 38.5pF | |
输出电容(Coss) | 23.2pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@67uA |