反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):16.2mΩ@10V,7.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:-,耗散功率(Pd):2W,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):11A,连续漏极电流(Id):11A,配置:半桥,阈值电压(Vgs(th)):2.25V@25uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 16.2mΩ@10V,7.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
配置 | 半桥 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V@25uA |