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STS9P2UH7
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STS9P2UH7
- 商品编号
- C139727
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000235千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):188pF,导通电阻(RDS(on)):0.085Ω@1.5V,4.5A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@16V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.7W,输入电容(Ciss):2390pF,输出电容(Coss):220pF,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 188pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.085Ω@1.5V,4.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@16V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 2390pF | |
| 输出电容(Coss) | 220pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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