反向传输电容(Crss):170pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@4.5V,2.6A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:-,栅极电荷量(Qg):20nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):660pF,输出电容(Coss):310pF,连续漏极电流(Id):5.2A,连续漏极电流(Id):4.3A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 170pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V,2.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 660pF | |
输出电容(Coss) | 310pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V@250uA |