反向传输电容(Crss):33pF@160V,导通电阻(RDS(on)):0.17Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):39nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):940pF,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):5.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 33pF@160V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.17Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 940pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V@250uA |