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NTMS4807NR2G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTMS4807NR2G
- 商品编号
- C80851
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000207千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):6.1mΩ@10V,14.8A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):24nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):860mW,输入电容(Ciss):2900pF@24V,连续漏极电流(Id):14.8A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.1mΩ@10V,14.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 860mW | |
| 输入电容(Ciss) | 2900pF@24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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