温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS6990AS
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS6990AS
- 商品编号
- C51459
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000207千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):60pF@15V,导通电阻(RDS(on)):28mΩ@4.5V,6.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):550pF@15V,连续漏极电流(Id):7.5A,配置:共源,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,6.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 配置 | 共源 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
2.63 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车