反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):18.3mΩ@4.5V,8.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):12A,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):2.55V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 18.3mΩ@4.5V,8.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.55V@250uA |