反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@10V,11.5A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):50nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2420pF,输出电容(Coss):170pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 11pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,11.5A | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 2420pF | |
输出电容(Coss) | 170pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |