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PHKD6N02LT,518
扩展库- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 厂家型号
- PHKD6N02LT,518
- 商品编号
- C96232
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000247千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):20mΩ@5V,3A,数量:2个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):4.17W,连续漏极电流(Id):10.9A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@5V,3A | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.17W | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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