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STS8DN6LF6AG
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STS8DN6LF6AG
- 商品编号
- C155609
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000235千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@4.5V,4A,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.2W,输入电容(Ciss):1340pF,输出电容(Coss):90pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V,4A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1340pF | |
| 输出电容(Coss) | 90pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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