反向传输电容(Crss):556pF,导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ@6V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):57nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):3033pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2.6V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 556pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@6V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 3033pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA |