反向传输电容(Crss):565pF,导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@10V,80A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):182nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):254W,输入电容(Ciss):7850pF,输出电容(Coss):1240pF,连续漏极电流(Id):230A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 565pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,80A | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 182nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 254W | |
输入电容(Ciss) | 7850pF | |
输出电容(Coss) | 1240pF | |
连续漏极电流(Id) | 230A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.294/个 |
10+ | ¥2.135/个 |
50+ | ¥1.355/个 |
100+ | ¥1.165/个 |
500+ | ¥1.0825/个 |
1000+ | ¥1.0425/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.355
50 PCS/盘