温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
STF8NM60ND
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STF8NM60ND
- 商品编号
- C165936
- 商品封装
- TO-220FP
- 商品毛重
- 0.0026千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):0.7Ω@10V,3.5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):560pF,输出电容(Coss):37pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7Ω@10V,3.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 输出电容(Coss) | 37pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
11.85 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车