反向传输电容(Crss):38pF,导通电阻(RDS(on)):28mΩ@2.5V,5.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):7.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):647pF,输出电容(Coss):78pF,连续漏极电流(Id):7A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 38pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@2.5V,5.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.6W | |
输入电容(Ciss) | 647pF | |
输出电容(Coss) | 78pF | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥1.88/个 |
10+ | ¥1.84/个 |
30+ | ¥1.82/个 |
100+ | ¥1.79/个 |
102+ | ¥1.79/个 |
104+ | ¥1.79/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.6468
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉429.6元