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DMN10H170SVTQ-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN10H170SVTQ-13
- 商品编号
- C6183660
- 商品封装
- TSOT-26
- 商品毛重
- 0.000044千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):160mΩ@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.7nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):1167pF@25V,连续漏极电流(Id):2.6A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1167pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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