反向传输电容(Crss):44pF@30V,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17.2nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):969pF@30V,连续漏极电流(Id):7.3A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 44pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.2W | |
输入电容(Ciss) | 969pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.213/个 |
50+ | ¥1.715/个 |
150+ | ¥1.502/个 |
500+ | ¥1.236/个 |
3000+ | ¥1.118/个 |
6000+ | ¥1.0465/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0465
3000 PCS/盘
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