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DMC3061SVTQ-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMC3061SVTQ-13
- 商品编号
- C17398334
- 商品封装
- TSOT-26
- 商品毛重
- 0.000044千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):140mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):95mΩ@10V,2.7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6.8nC@10V,栅极电荷量(Qg):6.8nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.08W,输入电容(Ciss):287pF,输入电容(Ciss):287pF@15V,输出电容(Coss):44pF,连续漏极电流(Id):3.4A,连续漏极电流(Id):2.7A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V,2.7A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.08W | |
| 输入电容(Ciss) | 287pF | |
| 输入电容(Ciss) | 287pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 44pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
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