反向传输电容(Crss):47pF@15V,导通电阻(RDS(on)):125mΩ@4.5V,2.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@10V,漏源电压(Vdss):-,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):854pF@15V,连续漏极电流(Id):-,连续漏极电流(Id):3.2A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 47pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V,2.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.2W | |
输入电容(Ciss) | 854pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |