反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):1.1Ω@4.5V,500mA,导通电阻(RDS(on)):450mΩ@4.5V,500mA,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.1nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):1.64nC@4.5V,漏源电压(Vdss):25V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):0.9W,输入电容(Ciss):63pF,输入电容(Ciss):63pF@10V,输出电容(Coss):34pF,连续漏极电流(Id):460mA,连续漏极电流(Id):0.68A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@4.5V,500mA | |
导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V,500mA | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 1.64nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.9W | |
输入电容(Ciss) | 63pF | |
输入电容(Ciss) | 63pF@10V | |
输出电容(Coss) | 34pF | |
连续漏极电流(Id) | 460mA | |
连续漏极电流(Id) | 0.68A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |