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DMN2053UVTQ-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN2053UVTQ-13
- 商品编号
- C17607863
- 商品封装
- TSOT-26
- 商品毛重
- 0.000044千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):32pF,导通电阻(RDS(on)):56mΩ@1.8V,2.0A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.1W,输入电容(Ciss):369pF,输出电容(Coss):54pF,连续漏极电流(Id):4.6A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@1.8V,2.0A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 369pF | |
| 输出电容(Coss) | 54pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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