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SI6562CDQ-T1-BE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI6562CDQ-T1-BE3
- 商品编号
- C17289009
- 商品封装
- TSSOP-8
- 商品毛重
- 0.000135千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.036Ω@2.5V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@4.5V,5.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):51nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.6W,耗散功率(Pd):1.6W,耗散功率(Pd):1.2W,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):850pF,输入电容(Ciss):1200pF,连续漏极电流(Id):6.1A,连续漏极电流(Id):5.1A,连续漏极电流(Id):6.7A,连续漏极电流(Id):6.7A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.036Ω@2.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,5.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1200pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.66/个 |
| 10+ | ¥8.08/个 |
| 30+ | ¥7.21/个 |
| 100+ | ¥6.22/个 |
| 500+ | ¥5.79/个 |
| 1000+ | ¥5.59/个 |
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