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GM8812E
扩展库- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 厂家型号
- GM8812E
- 商品编号
- C2880138
- 商品封装
- TSSOP-8
- 商品毛重
- 0.000159千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):95pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@4V,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):14nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):860pF,连续漏极电流(Id):7A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V |
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