反向传输电容(Crss):189pF,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):1162pF,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 189pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1162pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.407/个 |
| 10+ | ¥0.36/个 |
| 30+ | ¥0.337/个 |
| 100+ | ¥0.319/个 |
| 500+ | ¥0.305/个 |
| 1000+ | ¥0.298/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.276
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