反向传输电容(Crss):85pF,导通电阻(RDS(on)):0.5Ω@10V,5.2A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):63nC@10V,漏源电压(Vdss):400V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):139W,输入电容(Ciss):870pF,输出电容(Coss):250pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 85pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.5Ω@10V,5.2A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 400V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 139W | |
输入电容(Ciss) | 870pF | |
输出电容(Coss) | 250pF | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |